Schutz geistigen Eigentums

Das Fraunhofer CSP unterstützt Hersteller der Photovoltaikindustrie mit hochauflösenden materialanalytischen Verfahren beim Schutz ihres geistigen Eigentums. Durch Nanoanalytik, präzise Schichtcharakterisierung und die Untersuchung von Struktur‑ und Bauteilmerkmalen lassen sich patentkritische Eigenschaften eindeutig nachweisen und rechtlich belastbar dokumentieren. Die Methoden ermöglichen sowohl den Nachweis unerlaubter Prozess‑ oder Materialänderungen als auch die Erstellung fundierter Gutachten zur Bewertung potenzieller Patentverletzungen. Damit bieten wir unseren Kunden eine wissenschaftlich und juristisch tragfähige Grundlage für die Absicherung technologischer Innovationen.

Schädigungsarme Präparation von Solarzellen aus kommerziellen PV-Modulen

• Angepasste Vorbereitungstechniken für kommerzielle PV-Produkte
• Schadensmindernde Vorbereitung von Proben aus PV-Modulen für die hochauflösende Analyse
• Sicherstellung der rechtlichen Verwertbarkeit der Analyseergebnisse

Nachweis von Struktur- und Bauteilmerkmalen auf allen Längenskalen (Meter bis Nanometer)

• Hochauflösende Analytik von Schichtstapeln, z. B. c-Si-Schicht 1 (L1), Schicht 2 (L2), IL1, IL2, lokale P-Anreicherungen
• Nanoanalytik zur Identifikation und Bewertung von Struktur- und Bauteilmerkmalen
• Test auf Patentverletzungen oder Verteidigung gegen Patentklagen
• Erstellung rechtlich konformer Gutachten zum Schutz des geistigen Eigentums (IP) des Kunden

Patentbewertung durch Nanoanalytik

Kommerzielle PV‑Module werden bis auf die nanoskalige Schichtebene analysiert (z. B. c‑Si‑Schichten, Zwischenlagen, Dotierungsprofile). Die Ergebnisse dienen als technisch belastbare Grundlage bei Patentprüfungen und IP‑Streitfällen.

Rechtssichere Gutachten für PV‑Produkte

Schadensarme Präparation und hochauflösende Nanoanalytik ermöglichen aussagekräftige Gutachten über Schichtaufbauten, Materialeigenschaften und Herstellprozesse – geeignet für den Nachweis oder die Abwehr von Patentverletzungen.

Identifikation unerlaubter Prozess- oder Materialänderungen

Durch die Analyse lokaler P‑Anreicherungen, Diffusionsprofile oder Schichtmodifikationen können unautorisierte Änderungen im Produktionsprozess nachvollziehbar identifiziert werden.