Kristallisation

Das Fraunhofer CSP verfügt mit einer EKZ-2700 und zwei EKZ-3500 (jeweils PVA-Tepla) über moderne und leistungsfähige Kristallisationsanlagen zur Herstellung von Einkristallen bis zu 300 mm Durchmesser. Die Anlagen sind mit einem optimierten Hot-Zone Design, einem Graphittrichter und einer separat belüftbaren Schleuse ausgestattet, was die Kristallisation mehrerer Kristalle aus einem Tiegel erlaubt. Der Prozess wird weitgehend automatisch gesteuert. Für die Variation von Durchmesser, Neigung im Schulterbereich oder einem verkürzten Endkonus, sind unterschiedliche Rezepte verfügbar. Eine Einrichtung zum Nachchargieren zur Maximierung der Einwaage beziehungsweise für Versuche zu »multi-pulling« steht zur Verfügung, ebenso wie eine aktive Kristallkühlung, wodurch die Wärmeabfuhr während der Kristallisation verbessert wird, was schnellere Kristallisationsraten erlaubt.

Derzeit stehen Fragestellungen wie die Verlängerung der Tiegelstandzeit, Transport von Sauerstoff in den wachsenden Kristall sowie Optimierung des Prozesses im Hinblick auf Zeit- und Energiemanagement im Vordergrund. Des Weiteren werden für Polysilizium-Hersteller Testkristallisationen bearbeitet und Fragestellungen zur Materialgüte, zur resultierenden Widerstandsverteilung, zur Ladungsträgerlebensdauer und letztendlich der daraus entstehenden Solarzellenwirkungsgrade beantwortet.

Mit der FZ-14 ist das Fraunhofer CSP in der Lage, Float-Zone-Kristalle bis zu einem Durchmesser von 4“ (100 mm) und einer Länge bis 130 cm zu züchten. Im Fokus der Float-Zone (FZ)-Aktivitäten stehen Materialtests zur Tauglichkeit von Polystäben für die FZ-Anwendung, die Herstellung von Vorratsstäben aus kostengünstigem Solar-Silizium sowie die Verbesserungen der Prozessautomatisierung. Die Vorteile dieser Technologie, wie schnellere Kristallisationsgeschwindigkeit, geringe Sauerstoff- und Kohlenstoffkonzentrationen und Wegfall der Tiegelkosten, bergen ein großes Potenzial für die Anwendung im Photovoltaik-Bereich.

FZ-Kristalle zeigen im Allgemeinen die mit Abstand höchsten Ladungsträgerlebensdauern (> 6-8 ms), woraus die höchsten Zellwirkungsgrade resultieren. Voraussetzungen für eine breitere Anwendung sind ein höherer Automatisierungsgrad des Prozesses sowie die Sicherstellung einer ausreichenden Versorgung mit FZ tauglichem Ausgangsmaterial. Durch die einfache Möglichkeit der Dotierung aus der Gasphase, können sehr homogene Dotierstoffverläufe eingestellt werden. Dies ist ein interessanter und wichtiger Aspekt im Hinblick auf die Kristallisation von n-Typ Silizium.