Ultraspurenanalyse

ICP-MS-Spurenanalyse – Verlässliche Ergebnisse für höchste Materialreinheit

Wenn es auf höchste Reinheit ankommt, liefert die ICP-MS-Analyse präzise Daten bis in den ppt-Bereich. Mit dieser Methode lassen sich selbst geringste Mengen an anorganischen Verunreinigungen – insbesondere Metalle – zuverlässig nachweisen. So unterstützen wir Sie bei der Qualitätssicherung, Prozesskontrolle und Forschung.

Was wir für Sie tun:

  • ICP-MS-Analyse verschiedenster Materialien wie Silizium, Silane (HCDS, STC, TCS…), Quarzglas, Siliziumcarbid SiC, Brennstoffzellen (CCMs) und mehr
  • Nachweis metallischer Verunreinigungen und Spurenelemente auf Oberflächen und im Inneren Ihrer Proben (Bulkanalyse)
  • Nachweisgrenzen bis in den tiefen ppt-Bereich – für höchste Sensitivität und Genauigkeit

Ihr Vorteil: 

Mit unserer präzisen Spurenanalytik sichern Sie die Qualität Ihrer Produkte, erkennen Verunreinigungen frühzeitig und optimieren Ihre Prozesse.
So schützen Sie Ihre Marke, verbessern die Produktqualität und minimieren Risiken.

Unsere Forschungseinrichtung ist nach DIN ISO 9001 zertifiziert.

Im folgenden Video erhalten Sie einen Eindruck von unseren analytischen Dienstleistungen. Kontaktieren Sie uns für eine individuelle Beratung – wir helfen Ihnen, Ihre Qualitätsziele zu erreichen!

Themen

Siliziumanalytik

Hochreines Quarzglas

Silananalytik (HCDS, TCS, STC…)

Siliziumcarbid

Brennstoffzellen

Hochreine Säuren

Wässrige Lösungen

Chemische Materialbeständigkeit

Beratung und Training Spurenanalyse

Spurenanalytik zur Detektion von Verunreinigungen im Silizium

Wafer Oberflächenreinheit
© Fraunhofer CSP
Bestimmung der Oberflächenreinheit an Siliziumwafern
Experimenteller CZ-Siliziumkristall
© Fraunhofer CSP
Experimenteller CZ-Siliziumkristall und Höhenverlauf der Verunreinigungsgehalte (Beispiel: Aluminium).
Float-Zone-Kristalle
© Fraunhofer CSP
Float-Zone-Kristalle.

Bulkanalytik/Volumenanalyse:

  • Chemischer Aufschluss mit Säuren: Silizium wird durch den Einsatz von Säuren, wie Flusssäure, in Lösung gebracht. Anschließend erfolgt die Analyse u.a. metallischer Verunreinigungen mittels ICP-MS (Induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometrie).
  • Vielfältige Probenmöglichkeiten: Analysierbare Proben umfassen z.B. Feedstock, Kristalle, Wafer, Pulver und Recyclingmaterial.
  • Probenmaterialanforderung: Idealerweise wird ein Probenmaterial von mindestens 5 g benötigt.
  • Nachweisgrenzen: Die Nachweisgrenzen variieren je nach Probe und Element und liegen im Bereich von wenigen ppb (parts per billion, µg/g) bis ppt (parts per trillion, ng/g).
  • Schichtspezifisches Ätzen: Durch schichtspezifisches Ätzen und anschließende ICP-MS-Analyse können Verunreinigungen lokalisiert werden, dadurch Sie effiziente Reinigungsmethoden Ihrer Materialien einsetzen können.

 

Oberflächenanalytik:

  • Verunreinigungsbestimmung auf Oberflächen: Über die ICP-MS-Analyse werden Verunreinigungen auf Oberflächen, insbesondere (aber nicht nur) von Siliziumwafern, ermittelt.
  • Kundenspezifische Ätzlösungen: Die Ätzlösung wird individuell angepasst, um spezifische Anforderungen zu erfüllen (z.B. nur die Oberfläche, inklusive Oxidschicht oder dicke Oxidschichten).
  • Flexibilität bei Wafergrößen: Alle Wafergrößen sind für die Analyse geeignet.
  • Hohe Nachweisgrenzen: Die Nachweisgrenzen sind elementabhängig und können bis zu 1E7 atoms/cm² betragen.

 

 

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ICP-MS-Analytik für hochreines Quarzglas

Spurenelementanalytik für Ihr hochreines Quarzglas – Präzise Kontaminationsdetektion

Möchten Sie die Reinheit Ihres Quarzglases genau bestimmen? Ob Stücke, Pulver, synthetisch oder Rohmaterial – wir unterstützen Sie bei der Identifikation von Kontaminationen und Verunreinigungen in Ihrem Quarzglas durch unsere spezifische Spurenanalytik.

ICP-MS-Analyse nach Maß – Hochauflösende Materialanalytik

Mit unserer modernen ICP-MS-Technologie führen wir sowohl Analysen im Volumen, auf der Oberfläche oder auch ortsspezifische Messungen in ihrem hochreinen Material durch. Durch Probenahmen an verschiedenen Stellen, z.B. im Querschnitt ihrer Probe, können wir Verunreinigungen in spezifischen Bereichen identifizieren, während durch gezieltes Ätzen mit Flusssäure Verunreinigungen in bestimmten Tiefen bestimmt werden können, die für die Qualität entscheidend sind.

Höchste Nachweisgenauigkeit im ppt-Bereich

Unsere Nachweisgrenzen liegen im ppt-Bereich, und für die Analyse benötigen wir nur etwa 5 g Probe. Vertrauen Sie auf unsere Expertise, um die Reinheit Ihrer Materialien sicherzustellen.

 

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Spurenanalytik in Silanen (HCDS, TCS, STC…)

Hexachlordisilan
© Fraunhofer CSP
Hexachlordisilan (HCDS) wird als Prekursormaterial für die Herstellung sehr dünner Schichten verwendet und benötigt daher eine sehr hohe Reinheit, welche mittels ICP-MS bestimmt werden kann.
  • Bestimmung kleinster Verunreinigungen in Silanen: Wir bieten umfassende Analysen von Verunreinigungen in Silanen wie Hexachlordisilan (HCDS), Pentachlordisilan (PCDS), Siliziumtetrachlorid (STC) und Trichlorsilan (TCS) mittels ICP-MS (Induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometrie).
  • Vielfältige Untersuchungsmöglichkeiten: Unsere Dienstleistungen umfassen die Analyse sowohl von hochreinen Stoffen als auch von Rohmaterialien, um höchste Qualitätsstandards zu gewährleisten.
  • Probenanforderungen: Für eine präzise Analyse benötigen wir idealerweise eine Probenmenge von 10 g.
  • Exzellente Nachweisgrenzen: Unsere Nachweisgrenzen sind elementabhängig und liegen im Bereich von 5 ppt bis 1 ppb, was höchste Sensibilität und Genauigkeit garantiert.

Im Rahmen des Projekts  »SilaTrace« haben wir in Zusammenarbeit mit der PSC Polysilane Chemistry GmbH hochreines Pentachlordisilan als attraktives Produkt für die Mikroelektronik-Industrie entwickelt. Am Fraunhofer CSP lag der Fokus auf der Optimierung der Spurenanalytik zur Sicherung der Produktqualität. Diese Initiative wurde aus Mitteln des Europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE) finanziert.

Weitere Informationen

Projekt Silapure

Zu unserem Referenzkunden PSC GmbH

 

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Oberflächenbestimmungen auf Halbleitermaterialien, z.B. Siliziumcarbid (SiC)

Charakterisierung von Waferoberflächen
© Fraunhofer CSP
Durch die Anwendung verschiedener Säuren beim Ätzvorgang können die Schichten von Materialien getrennt analysiert werden.

Erkennen Sie metallische Verunreinigungen in Ihren Materialien

  • Analyse von Oberflächenverunreinigungen: Wissen Sie, welche metallischen Verunreinigungen in Ihren Materialien, wie z.B. Siliziumcarbid (SiC) vorhanden sind? Ob Wafer, grobes Pulver oder Chunks – wir unterstützen Sie dabei, oberflächliche (nicht nur) metallische Verunreinigungen präzise zu bestimmen.
  • Angepasste Methoden zur Spurenanalytik: Durch den Einsatz verschiedener Säuremischungen, einschließlich Flusssäure, können wir metallische Kontaminationen effektiv ablösen. Anschließend analysieren wir die Verunreinigungen mit modernster ICP-MS-Technologie, um Ihnen detaillierte Einblicke zu geben und Ihre Produktionsprozesse zu optimieren.
  • Niedrige Nachweisgrenzen: Für unsere ICP-MS-Analysen benötigen wir eine Probenmenge ab 5 g, abhängig von Ihrer Fragestellung. Unsere Nachweisgrenzen variieren je nach Element und Analyseziel und reichen bis in den ppt-Bereich.

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Brennstoffzellen (CCM)

  • Verstehen Sie die Elementverteilung in Ihrer Catalyst Coated Membrane (CCM): Haben Sie Fragen zur Elementverteilung in Ihrer Protonen-Austausch-Membran (PEM), die im Stack gelaufen ist oder auch in einer neuen Catalyst Coated Membran (CCM)? Unsere präzise Spurenanalyse bietet Ihnen ortsgenaue Probenentnahmen und eine anschließende ICP-MS-Analyse, um Verunreinigungen effektiv zu detektieren.
  • Effektive Probenvorbereitung für optimale Ergebnisse: Durch gezielte Entnahme kleinerer Bereiche aus der CCM können wir den Elementgehalt mittels ICP-MS analysieren und dadurch die Lokalisierung dieser zeigen, wodurch Sie Ihre Prozesse noch besser kennenlernen und verstehen werden.

 

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ICP-MS von hochreinen Säuren

Hochreine Säuren
© Fraunhofer CSP
Für viele Anwendungen sind hochreine Säuren notwendig. Die enthaltenen Spurenelementgehalte – oft im ppt-Bereich – können mittels ICP-MS nachgewiesen werden.
  • Präzise Spurenelementanalyse: Wir bieten die ICP-MS-Analyse zur Bestimmung von Kontaminationen in ihren Säuren, wie z.B. hochreiner Flusssäure (HF), Salpetersäure (HNO3), Salzsäure (HCl) etc.
  • Effektive Probenvorbereitung: Für die Analyse sind Verdünnungen oder Evaporation als Probenvorbereitung erforderlich, um optimale Ergebnisse zu erzielen.
  • Mindestprobenvolumen: Das benötigte Probenvolumen beträgt mindestens 5 mL, um die Analyse zuverlässig durchzuführen.
  • Hervorragende Nachweisgrenzen: Unsere Nachweisgrenzen liegen im ppt-Bereich (parts per trillion) und sind elementabhängig.

 

 

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ICP-MS-Analyse von Reinstwasser und wässrigen Lösungen, z.B. für die Halbleiterindustrie

Reinheit wässriger Lösungen
© Fraunhofer CSP
Die für viele Prozesse geforderte sehr hohe Reinheit von wässrigen Lösungen kann mittels ICP-MS-Analyse überprüft werden.
  • Präzise Ultraspurenanalyse: Wir führen die Analyse von anorganischen Verunreinigungen in wässrigen Lösungen, Reinstwasser/Ultrapure-Wasser (UPW) und Prozesswasser mittels ICP-MS (Induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometrie) durch.
  • Mindestprobenvolumen: Für eine zuverlässige Analyse benötigen wir ein Probenvolumen von mindestens 5 mL.
  • Exzellente Nachweisgrenzen: Unsere Nachweisgrenzen liegen im untersten ppt-Bereich (parts per trillion) und sind elementabhängig, was eine hohe Messgenauigkeit gewährleistet.

 

 

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Beständigkeit von Materialien gegenüber Säuren

© Fraunhofer CSP
PVDF-Schrauben im Vergleich: Nach Auslagerung in Säuredampf zeigt die Probe deutliche Verfärbungen durch chemische Einwirkung.
  • Umfassende Materialanalyse: Wir überprüfen verschiedene Materialien, wie z.B. Siliciumcarbid (SiC), aber auch Polymere und Dichtungsmaterialien, hinsichtlich ihres Verhaltens gegenüber Säureeinfluss.
  • Variabilität bei Säuren und Bedingungen: Wir variieren Säuren, Säurekonzentrationen und Temperaturen, um die Auswirkungen auf die Materialien zu analysieren.
  • Leaching-Analyse: Durch die Bestimmung der aus dem Material gelösten Elementgehalte mittels ICP-MS (Induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometrie) können wir ermitteln, wie Verunreinigungen je nach gewählter Säure von der Oberfläche bis in tiefere Schichten gelöst werden.
  • Probengeometrien und mikroskopische Veränderungen: Wir bestimmen die Probengeometrien sowie mikroskopische Veränderungen vor und nach den Auslagerungsversuchen, um die Materialintegrität zu bewerten.
  • Spannungs-Dehnungsverhalten: Die Messung des Spannungs-Dehnungsverhaltens (je nach Material) erfolgt gemäß gängigen Standards, wie z.B. DIN EN ISO 527-3, an sowohl behandelten als auch unbehandelten Proben.

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Beratung und Training zum Thema Spurenanalyse

Training Spurenanalyse
© Fraunhofer CSP
Buchen Sie ein Vor-Ort-Training unter professioneller Anleitung unserer Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter.

Wir bieten umfassende Beratungsleistungen zur anorganischen Spurenelementanalyse an, sowohl auf Oberflächen als auch innerhalb von Materialien.

Unsere Expertise umfasst Vor-Ort-Trainings für Ihre Mitarbeiter, um sicherzustellen, dass Sie die besten Praktiken in der sensitiven Spurenanalytik anwenden.

Gern unterstützen wir Sie auch beim Aufbau eines eigenen Spurenanalytiklabors.

 

 

 

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