Saubere Wafer

© Fraunhofer CSP

Schematische Darstellung der nasschemischen Oberflächenextraktion.

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Laterale Verteilung der Oberflächenenergie eines PV-Siliziumwafers nach Standardreinigung.

Anorganische und organische Verunreinigungen auf Waferoberflächen beeinträchtigen die nachfolgenden Prozessschritte sowie die finale Bauteilfunktion. Die quantitative Bestimmung der physiko-chemischen Oberflächeneigenschaften ermöglicht eine zuverlässige Produkt- und Prozessüberwachung. Neben der Oberflächen-TOC (total organic carbon) -Analyse zur integralen Quantifizierung der organischen Verunreinigungen und dem Kontaktwinkelmapping zur Bestimmung der Homogenität der Oberflächenenergie können vor allem metallische Kontaminationen sensitiv und quantitativ mittels SE (surface extraction) - ICP-MS erfasst werden. Unsere Extraktionsmethoden sind auf verschiedene Oberflächen (poliert, sägerau, geätzt) und Geometrien der Wafer angepasst. Auf Wunsch entwickeln wir auch kundenspezifische Methoden.