Geräte und Methoden

Spurenanalytik

  • Hochauflösendes Sektorfeld-ICP-Massenspektrometer
  • ICP-Optisches Emissionsspektrometer
  • Laser-Ablation
  • Elektrothermische Verdampfung
  • Mikrowellenaufschluss-System
  • Evaporationseinheiten Clean Acid und Evapoclean
  • TOC-Analysator
  • Partikelgrößenmessgerät
  • Karl-Fischer-Titrator
© Foto Fraunhofer CSP

Die ICP-MS wird mit Proben bestückt.

Wafering

  • Squarer (drahtbasiert) zur Vereinzelung von G4/G5-Ingots in Blöcke 156 mm x 156 mm
  • Schleifmaschinen zur Oberflächen- und Fasenbearbeitung von Blöcken (Arnold Typ 72/860 und Typ 72/852), (Okamoto Typ SIG 154 H)
  • IR-Durchleuchtungssystem zur Identifizierung von SiC/SiN Einschlüssen in Blöcken (Intego FRA 1307)
  • Ladungsträgerlebensdauer- und Widerstandsmessung an Blöcken zur elektrischen Charakterisierung und Qualitätskontrolle (SemiLab WT-2000P)
  • Cropper (drahtbasiert) zum Abtrennen der Block-Endstücke (HTC Shaping Systems SA)
  • Bandsäge zum Squaren und Croppen von Mono-Ingots und für die Bearbeitung von Sonderformaten (Meyer Burger BS805)
  • Drahtsägen (800 mm und 300 mm Beladelänge) zum Fertigen von multi- und monokristallinen Wafern (Meyer Burger DS264 und Meyer Burger DS265)
  • Vorreinigungsanlage zum Ablösen der Wafer nach dem Sägen (Schmid Typ 64)
  • Inline-Feinreinigung zur Endreinigung der Wafer (Schmid Typ 58)
  • Inline-Messanlage mit Sortiereinheit zur Waferendkontrolle und Klassifizierung (Hennecke Typ He-WI-03)
  • Medienverbrauchsmessung via Gebäude Leittechnik und Energiezäher (Johnson Controls  und FRAKO)
  • Kraftsensoren zur Messung der Belastung am Brick bzw. Sägedraht in 3 Dimensionen (ME-Systeme)
© Foto Fraunhofer CSP

Rolf Tornow überwacht die Charakterisierung des Sägeprozesses.

Mechanik Wafer und Zelle

  • Berührungslose Dicken- und Topographiemessung von Wafern und strukturierten Drähten
  • Mechanische Universalprüfmaschine (mechanische Parameter), - für Wafer und Zellen (z.B. 3- und 4-Punkt-Biegung, Doppelringversuch, Kugel-Ring-Versuch, Kugel-auf-3-Kugel-Versuch), - für Sägedrähte (Zugversuche: statisch, dynamisch, zyklisch)
  • Dynamische Kantenbelastung von Wafern und Zellen mithilfe eines Falltesters
  • Versuchsstände für Ritzversuche zur Analyse des Abtragsverhaltens von Silizium
  • Mikrohärteprüfung zur Materialparameterbestimmung
  • Spannungsoptik zur Eigenspannungsanalyse in Silizium auf Block- und Waferebene
  • Workstations für numerische Simulation (Finite-Elemente-Methode) von mechanischen, thermo-mechanischen, bruchmechanischen und statistischen Analysen
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Durchbiegung eines monokristallinen Siliziumwafers während des 4-Punkt-Biegeversuchs.

Beschichtung und Passivierung

  • Plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD)
  • Plasma-Texturierung mit SF6- oder / und CF4-Gasen
  • Quasistationäre Fotoleitfähigkeit (QSSPC) von Blöcken und Wafern
  • In-situ-Messung der ladungsträgerinduzierten Degradation und Regeneration
  • Mikrowelleninduzierte Fotoleitfähigkeit (µ-PCD)
  • Kelvin Probe
© Foto Fraunhofer CSP

Marcus Gläser setzt die Apparatur zur Plasmaverstärkten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) in Gang.